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型号 IRFH7110TR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
IRFH7110TR2PBF PDF
代理商 IRFH7110TR2PBF
标准包装 400
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 13.5 毫欧 @ 35A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3240pF @ 25V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TQFN 裸露焊盘
供应商设备封装 8-PQFN（5x6）
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRFH7110TR2PBFTR
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